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                      SMT貼片

SMT貼片每年都會(huì)帶來(lái)功能更強(qiáng)大的新型數(shù)字電子設(shè)備。有一個(gè)稱(chēng)為摩爾定律的經(jīng)驗(yàn)法則，該定律說(shuō)集成電路中晶體管的數(shù)量每18個(gè)月將增加一倍，而生產(chǎn)成本卻保持不變。不久前，具有8兆內(nèi)存的個(gè)人數(shù)字助理是一種熱門(mén)的票務(wù)設(shè)備，但是如今擁有千兆字節(jié)的內(nèi)存已司空見(jiàn)慣。

 SMT的小型化

小型化在20世紀(jì)中葉的太空競(jìng)賽中至關(guān)重要。蘇聯(lián)擁有更強(qiáng)大的火箭。為了使它們的能力相等，美國(guó)火箭的有效載荷必須更小，更輕。隨著小型化增加了集成電路芯片的密度，電路板上的元器件密度也增加了。表面安裝元器件采用自動(dòng)化技術(shù)進(jìn)行焊接，因此無(wú)需在它們之間保持足夠的間距。在進(jìn)行返工，回流焊點(diǎn)或更換元器件時(shí)，技術(shù)人員幾乎沒(méi)有錯(cuò)誤的余地。元器件引線(xiàn)之間的間距可能小于0.010英寸或0.254毫米。即使采用良好的焊接技術(shù)，電路板上的微小焊盤(pán)也容易過(guò)熱并拉起。

 新的表面貼裝技術(shù)

較新的技術(shù)將允許更大的元器件密度。目前，大多數(shù)電路板的密度在10％至20％的范圍內(nèi)，但是在集成電路內(nèi)部越來(lái)越多地使用倒裝芯片連接將使密度攀升至80％左右。集成電路的內(nèi)部細(xì)線(xiàn)將有源器件連接到較大的外部引線(xiàn)，但是在倒裝芯片技術(shù)中，有源器件倒置安裝。這允許使用芯片的底部來(lái)連接到電路板。一個(gè)現(xiàn)代的閃存芯片可能有近100根引線(xiàn)，但是類(lèi)似尺寸的倒裝芯片可能有1000多個(gè)引線(xiàn)。這些連接被稱(chēng)為球柵陣列（BGA），因?yàn)樵?/font>IC的底側(cè)上焊錫很少。當(dāng)在烤箱中或在熱空氣焊接站下加熱時(shí)，焊球熔化形成電連接。

 SMT中的晶體管

IC中最常見(jiàn)的晶體管是MOSFET，其尺寸在50-100 nm之間。碳納米管的寬度為2 nm，根據(jù)其組成，碳納米管可以是金屬或半導(dǎo)體。 CNTFET可以實(shí)現(xiàn)更大的電路密度，而它們的其他一些特性（例如更高的電流和更低的損耗）則具有巨大的前景。

 SMT的環(huán)境問(wèn)題

隨著鉛焊料的逐步淘汰，環(huán)境問(wèn)題是制造中的另一個(gè)關(guān)鍵考慮因素。導(dǎo)電粘合劑可以替代無(wú)鉛焊料，但是這些材料的長(zhǎng)期可靠性尚不清楚。對(duì)于醫(yī)藥，軍事或航空航天領(lǐng)域中的一些關(guān)鍵應(yīng)用而言，目前的鉛焊料可能是目前更好的選擇，但是就倒裝芯片技術(shù)而言，導(dǎo)電粘合劑可能是未??來(lái)。

 采用表面貼裝技術(shù)的電路板

電路板可以制造成具有包含無(wú)源元器件（例如電阻器，電容器和電感器）的層。其他層可以包含用于光纖的光學(xué)電路，微波和RF電路，甚至電源。當(dāng)前的多層板技術(shù)可以很快實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，并且是增加元器件密度的關(guān)鍵方面。結(jié)果，在未來(lái)的技術(shù)中部件和電路板之間的差異可能變得模糊。